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MT47H64M8CB-3:B TR 全国供应商、价格、PDF资料

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MT47H64M8CB-3:B TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：DDR2 SDRAM; 存储容量：512M（64M x 8）; 速度：3ns; 接口：并联; 电压_电源：1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 85°C; 封装/外壳：60-FBGA; 供应商器件封装：60-FBGA; 包装：带卷 (TR)

MT47H64M8CB-3:B TR供应商

MT47H64M8CB-3:B TR 深圳市毅创弘电子科技有限公司 0755-83514939
MT47H64M8CB-3:B TR 深圳市芯宇华航科技有限公司 18025408677
MT47H64M8CB-3:B TR 深圳市芯宇华航科技有限公司 +86 180254191
MT47H64M8CB-3:B TR 深圳市毅创腾电子科技有限公司 755-83219286
MT47H64M8CB-3:B TR 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
MT47H64M8CB-3:B TR 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、

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MT48LC4M16A2P-75 L:G TR
存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MCR18ERTFL1R30
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 1.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT47H64M8B6-3:D TR
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
MVY16VC221MF80TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 220UF 16V 20% SMD
MT-2
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 184-DIMM TERM BARRIER 2CIRC DUAL ROW
MCR03EZPFX57R6
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 57.6 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MV-127127-10-8A
标签，标记 TE Connectivity 模块 LABEL ID PRODUCT
MX25L1606EZUI-12G
存储器 Macronix 8-UDFN 裸露焊盘 IC FLASH SERIAL 3V 16MB 8USON
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MVY16VC331MH10TP
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 16V 20% SMD
MCR03EZPFX5900
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 590 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT2000-2.0-X-SP
热缩管 TE Connectivity 184-DIMM HEAT SHRINK TUBING
MV14-610RX-BOTTLE
端子 - 环形 3M 模块 CONN RING INSUL 16-14AWG 100PC
MX25L3206EZUI-12G
存储器 Macronix 8-UDFN 裸露焊盘 IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8USON
MCR18ERTFL3R30
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 3.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

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